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ニュース 2006年度

韓国、半導体工程技術分野特許出願急増

본문

2006.06.02.

韓国、半導体工程技術分野特許出願急増

-2005年出願、前年比22.9%増加

 
 特許庁によると、最近3年間の半導体工程技術分野に対する特許出願を分析した結果、2004年には6.6%の増加に止まった出願件数が、2005年には前年比でなんと22.9%も急増した。 

 今回の分析は、半導体工程技術をIPC分類別で5つの工程(露光、蒸着、洗浄CMP、エッチング、拡散イオン注入)に区分してから、これに対する最近3年間の出願現況を比較・調査したものである。

 まず、2005年の半導体工程技術分野の全体出願の35%を占めている露光分野は、2004年に18.9%減少した外国人出願が2005年には54.7%急増するによって全体で23.7%増加している。 
 
 蒸着分野の場合、回路線幅が100nm以下であるナノ級半導体の開発が本格化して、数Å単位の極めて薄い薄膜を蒸着させるための原子層蒸着技術(ALD, Atomic Layer Deposition)等の多様な蒸着技術が開発されるに伴い、前年比44.8%の増加で、出願増加率が一番高かった。 

 エッチング分野は、外国人出願の増加率が活発でないのに対し、国内人出願は2004年29.5%、2005年23.6%と、2年連続して急激な増加傾向を見せ、プラズマエッチング技術等のエッチング関連国内企業の技術開発が活発になっていることが立証された。 

 洗浄CMP及び拡散イオン注入分野の場合、他の工程分野に比べて相対的に増加率が低調であった。

<図1>2003~3005年半導体工程技術分野の出願現況
060602.gif 

<図2>年度別画像デザイン出願件数<2006年4月現在>

 

技術分野

 

2003年

 

2004年

 

2005年

 

内国

 

外国

 

合計

 

内国

 

外国

 

合計

 

内国

 

外国

 

合計

 

露光

690

248

938

837

201

1,038

973

311

1,284

増加率(%)

-

-

-

21.3

△18.9

10.7

16.2

54.7

23.7

 

蒸着

433

147

580

438

163

601

610

260

870

増加率(%)

-

-

-

1.1

10.9

3.6

39.7

59.5

44.8

 

洗浄CMP

608

148

756

569

143

712

614

171

785

増加率(%)

-

-

-

△6.4

△3.4

△5.8

7.9

19.6

10.3

 

エッチング

278

104

382

360

98

458

445

102

547

増加率(%)

-

-

-

29.5

△5.8

19.9

23.6

4.0

19.4

 

拡散イオン注入

153

29

182

180

37

217

184

49

233

増加率(%)

-

-

-

17.6

27.6

19.2

2.2

32.4

7.3

 

合計

2,162

676

2,838

2,384

642

3,026

2,826

893

3,719

増加率(%)

-

-

-

10.3

△5.0

6.6

18.5

39.0

22.9

(出典:特許庁報道資料) 

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